MMBT2222A View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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MMBT2222A Datasheet PDF : 2 Pages
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MMBT2222 / MMBT2222A
MMBT2222 / MMBT2222A
NPN
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-05-15
2.9 ±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT2222 MMBT2222A
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
30 V
40 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO
60 V
75 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
C open
VEBO
Ptot
5V
6V
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
IC = 0.1 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 1 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 10 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 150 mA, VCE = 10 V
hFE
IC = 500 mA, VCE = 10 V 2)
MMBT2222
hFE
MMBT2222A hFE
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, f = 1 kHz, IC = 1 mA / 10 mA
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
MMBT2222
hfe
MMBT2222A hfe
Input impedance – Eingangs-Impedanz
MMBT2222
hie
MMBT2222A hie
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
MMBT2222
hoe
MMBT2222A hoe
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
35
–
–
50
–
–
75
–
–
100
–
300
30
–
–
40
–
–
50
–
300
75
–
375
2 kΩ
–
8 kΩ
0.25 kΩ
–
1.25 kΩ
5 µS
25 µS
–
35 µS
–
200 µS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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