ECN3053 View Datasheet(PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

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ECN3053

MOS (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and other three-phase bridge drive IC.

Hitachi -> Renesas Electronics 

ECN3053/3054 ｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝﾉｰﾄ

P11/14

IC‑SP‑95022 R5

ＯＳの必要全ゲート電荷Ｑ１により選定して下さい。

下記に計算例を示します。

Ｃｂ

出力素子例

ｹﾞｰﾄ電荷Ｑ１

上ｱｰﾑ最大ｵﾝ時間

(μF)

（日立型式）

(μC)

tonmax(ms)

1.0 500V/10A MOS (2SK1516)

0.036

99

1.0 600V/30A IGBT (GN6030E)

0.085

97

3.3 600V/30A IGBT (GN6030E)

0.085

327

5.6 600V/30A IGBT (GN6030E)

0.085

557

一般的なＣｂの容量値として、３．３μＦを推奨しますが、ご評価の上決定して下さい。

なお、標準的なアプリケーションとして以下を推奨しています。

Ｄｂ：日立高速ダイオード ＤＦＧ１Ｃ６（ガラスモールド）

またはＤＦＭ１Ｆ６（レジンモールド）

【６００Ｖ／１Ａ、Ｔrr＝１００ｎｓ】

Ｃｂ：３．３μＦ±２０％【ストレス電圧１５Ｖ】

Ｒｂ：３．３Ω±２０％【２Ｗ以上】

なお、ＩＣ出力と外部出力素子の間に発振防止用にコンデンサを設ける場合（次項（５）のケ

ース）は、このコンデンサの容量も考慮してください。

（５）出力配線

本ＩＣの出力端子と外部のＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴを接続する配線は、極力短くして、配

線インダクタンス成分を最小にして下さい。配線のインダクタンスＬｗと外部出力素子のゲー

ト容量Ｃｇとで定まる周波数でＩＣの出力波形が振動します。この振動電圧が、ＩＣの最大定

格（例えば、Ｕ相上アーム出力では、ＰＧＵ−Ｕ間電圧２０Ｖ，Ｕ相下アーム出力では、ＮＧ

Ｕ−ＧＬ１間 ２０Ｖ）を越えるとＩＣが破壊することがあります。このため、図１３に示す

ようにＩＣ各相上下アーム出力端子のＩＣに近い位置に、

コンデンサＣＰ＝５６０ｐＦ 及び、

（配線長が３０ｃｍ程度の場合、配線長により加減する。セラミックコンデンサ使用）

≈ ゲート直列抵抗Ｒｇ １００Ω

(２０ＡクラスＩＧＢＴの場合、外付け素子の電流容量が小さい程増加する。)

を接続して下さい。

ＰＧＵ

Lw

ＣP

Ｕ

ＥＣＮ３０５３

３０５４ ＮＧＵ Ｒg

ＣP

ＧＬ２

Lw Ｃg

Lw

Lw Ｃg

ＣP：５６０ｐＦ

(セラミックコンデンサ)

但し、配線長３０ｃｍ

の場合

図１３．振動防止用コンデンサＣＰの付加（Ｕ相のみ表示）

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