datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1959-T1 Просмотр технического описания (PDF) - NEC => Renesas Technology

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1959-T1 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING NEC
NEC => Renesas Technology NEC
K1959-T1 Datasheet PDF : 6 Pages
1 2 3 4 5 6
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
0.8
ID = 50 mA
0.6
0.5 A
1A
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
VGS - Gate to Source Voltage - V
1 000
500
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VGS = 0
f = 1 MHz
200
100
50
Ciss
Coss
20
10
1
Crss
2
5 10 20
50 100
VDS - Drain to Source Voltage - V
2SK1959
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
10
1
0.1
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD - Source to Drain Voltage - V
1 000
500
SWITCHING CHARACTERISTICS
VDD = 3 V
VGS(on) = 3 V
tr
200
100
50
tf
td(off)
td(on)
20
10
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10
ID - Drain Current - A
4
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]