BU102S View Datasheet(PDF) - TY Semiconductor
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Description
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BU102S Datasheet PDF : 1 Pages
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Product specification
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
BU102S TRANSISTOR (NPN)
TO-92
FEATURES
· power switching applications
1. Base
2. Collector
3. Emitter
123
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
（符号）
Parameter
（参数名称）
Value
（额定值）
Units
（单位）
VCBO
Collector-Base Voltage （集电极-基极电压）
700
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压）
480
V
VEBO
Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压）
9
V
IC
Collector Current -Continuous （集电极电流）
0.5
A
PC
Collector Power Dissipation （耗散功率）
0.75
W
Tj
Junction Temperature （结温）
150
℃
Tstg
Storage Temperature （储存温度）
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified)
Parameter
（参数名称）
Collector-base breakdown voltage
集电极-基极击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage
集电极-发射极击穿电压
Emitter-base breakdown voltage
发射极-基极击穿电压
Collector cut-off current
集电极-基极截止电流
Collector cut-off current
集电极-发射极截止电流
Emitter cut-off current
发射极-基极截止电流
DC current gain
直流电流增益
DC current gain
直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极-发射极饱和压降
Base-emitter saturation voltage
发射极-基极饱和压降
Symbol
（符号）
V(BR)CB
O
V(BR)CE
O
V(BR)EBO
Test conditions
（测试条件）
IC= 100μA, IE=0
IC= 1mA, IB=0
IE=100μA, IC=0
ICBO
VCB=600 V , IE=0
ICEO
VCE=400V , IB=0
IEBO
VEB=9V , IC=0
hFE
VCE=5V, IC= 100mA
hFE
VCE=5V, IC= 1mA
VCE(sat) IC=200mA, IB= 20mA
VBE(sat) IC=200mA, IB= 20mA
MIN
TYP
MAX
UNIT
（最小值） （典型值） （最大值） （单位）
700
V
480
V
9
V
1
μA
10
μA
1
μA
8
30
8
0.5
V
1.2
V
CLASSIFICATION OF hFE
Range
8-15
15-20
20-25
25-30
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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