datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1152L Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1152L Silicon N-Channel MOS FET Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1152L Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
2.0
1.6 Pulse Test
1.2
0.8
0.4 5 V,10 V
VGS=0, –10V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03 0.101Shot Pulse
0.01
10 µ
100 µ
TC = 25°C
θch–c(t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 6.25°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
VDD =.. 30 V
Wavewforms
90 %
Vin 10 %
Vout 10 %
10 %
td (on)
90 %
90 %
tr
td (off)
tf
7
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]