datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1151L Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1151L Silicon N-Channel MOS FET Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1151L Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)
1,000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
500 di/dt = 100A/µs, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
200
100
50
20
10
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
5
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
500
20
100 V
250 V
400
16
VDS
400 V
300
12
VGS
200
8
100
VDD = 400 V ID = 1.5 A 4
250 V
100 V
0
0
2
4
6
8
10
Gate Charge Qg (nc)
1,000
100
10
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
1
0
10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Switching Characteristics
100
VGS = 10 V
VDD
=
30
V
50
PW = 2 µs, duty < 1%
td (off)
20
tf
10
5
td (on)
tr
2
1
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
5
Drain Current ID (A)
6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]