datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1152L Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1152L Silicon N-Channel MOS FET Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1152L Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
20
Pulse Test
16
12
2A
8
4
1A
ID = 0.5 A
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
10
ID = 2 A
8
VGS = 10 V
Pulse Test
6
1A
0.5 A
4
2
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature TC (°C)
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
100
50
Pulse Test
20
VGS = 10 V
10
5
15 V
2
1
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
5
Drain Current ID (A)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
5
VDS = 20 V
2 Pulse Test –25°C
1.0
TC = 25°C
0.5
75°C
0.2
0.1
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
5
Drain Current ID (A)
5
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2020 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]