datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1165 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1165 Silicon N-Channel MOS FET / TO-3P Package Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1165 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
10
Pulse Test
8
15 A
6
10 A
4
ID = 5 A
2
0
4
8
12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
1.0
VGS = 10 V
Pulse Test
0.8
15 A
10 A
ID = 5 A
0.6
0.4
0.2
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature TC (°C)
2SK1165, 2SK1166
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
5
Pulse Test
2
VGS = 10 V
1.0
0.5
15 V
0.2
0.1
0.05
0.5 1.0 2
5 10 20 50
Drain Current ID (A)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
VDS = 20 V
Pulse Test
20
10
–25°C
TC = 25°C
75°C
5
2
1.0
0.5
0.2
0.5 1.0 2
5 10 20
Drain Current ID (A)
5
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2020 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]