datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1166 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1166 Silicon N-Channel MOS FET / TO-3P Package Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1166 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1165, 2SK1166
Power vs. Temperature Derating
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Typical Output Characteristics
20
10 V
8V
6V
5.5 V
16
12
5.0 V
8
4.5 V
4
VGS = 4 V
0
10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
1.0
DC OPpWer=at1io0nm(1TsCm(1=s1s20h50o°µ1Ct)0s) µs
0.3
0.1
1
Ta = 25°C
2SK1166
2SK1165
3 10 30 100 300 1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
20
16
VDS = 20 V
Pulse Test
12
8
75°C
4
–25°C
TC = 25°C
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]