Q65110A1217 View Datasheet(PDF) - OSRAM GmbH

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Q65110A1217

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax

Spectral bandwidth at 50% of Imax

IF = 100 m A

Abstrahlwinkel

Half angle

λpeak

Δλ

ϕ

Aktive Chipfläche

A

Active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimensions of the active chip area

L×B

L×W

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf

auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität

Co

Capacitance

VR = 0 V, f = 1 MHz

Durchlassspannung

Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms

VF

IF = 1 A, tp = 100 μs

VF

Sperrstrom

IR

Reverse current

VR = 5 V

Gesamtstrahlungsfluss

Φe

Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

TCI

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

TCV

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

TCλ

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

2007-03-30

3

SFH 4080

Wert

Value

880

80

± 80

0.09

0.3 × 0.3

0.5

Einheit

Unit

nm

nm

Grad

deg.

mm2

mm²

μs

15

pF

1.5 (≤ 1.8)

V

3.0 (≤ 3.8)

V

0.01 (≤ 1)

μA

23

mW

– 0.5

%/K

–2

+ 0.25

mV/K

nm/K

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