datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K2007 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K2007 Silicon N Channel MOS FET Renesas
Renesas Electronics Renesas
K2007 Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
2SK2007
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
Pulse Test
30
20
10
10 V
VGS = 0, –5 V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0 D = 1
0.5
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03 10S.0h1ot Pulse
0.01
10 µ
100 µ
1m
10 m
θch–c (t) = γS (t) • θch–c
θch–c = 1.25°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
RL
V=..D3D0 V
Waveforms
90%
Vin 10%
Vout 10%
td (on)
90%
tr
90%
td (off)
10%
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]