datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1948 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1948 Silicon N-Channel MOS FET Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1948 Datasheet PDF : 10 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
5
Pulse Test
4
3
50 A
2
1
20 A
I D= 10 A
0
4
8
12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
2SK1948
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.5
0.2 Pulse Test
0.1
0.05
VGS = 10 V
0.02
0.01
0.005
2
5 10 20 50 100 200
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
0.2
0.16
VGS = 10 V
Pulse Test
0.12
I D= 50 A
0.08
10 A, 20 A
0.04
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature TC (°C)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
100
50
VDS = 10 V
Pulse Test
20
Tc = 25°C
10
–25°C
5
75°C
2
1
0.5 1 2
5 10 20 50
Drain Current I D (A)
5
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]