datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1161 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1161 Silicon N-Channel MOS FET Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1161 Datasheet PDF : 6 Pages
1 2 3 4 5 6
2SK1161, 2SK1162
Power vs. Temperature Derating
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
DC OpePrWatio=n1(0Tms1(1m1ssh0o0t)µs
1.0
C = 25°C)
0.3 Ta = 25°C
2SK1162
0.1
13
2SK1161
10 30 100 300 1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
3
1.0 D = 1
0.5
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03
0.01
0.01
1 Shot Pulse
10 µ
100 µ
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 1.25°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
4
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]