datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1158 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1158 Silicon N-Channel MOS FET / 2SK1157, 2SK1158 Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1158 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1157, 2SK1158
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Pulse Test
16
12
8
4
5, 10 V
VGS = 0, –10 V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
3
D=1
1.0
0.5
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
TC = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03
1
0.01
Shot
Pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 2.08°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
VDD =.. 30 V
Wavewforms
90 %
Vin 10 %
Vout 10 %
10 %
td (on)
90 %
90 %
tr
td (off)
tf
7
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]