datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1158 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1158 Silicon N-Channel MOS FET / 2SK1157, 2SK1158 Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1158 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1157, 2SK1158
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Typical Output Characteristics
20
10 V 7 V
6V
16
Pulse Test
12
5V
8
4
VGS = 4 V
0
10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Safe Operation Area
50
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
1
DC OpePrWatio=n1(0TCm1=sm2(s1150°sC0h)oµ1t0s) µs
Ta = 25°C
2SK1157
2SK1158
3 10 30 100 300 1,000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
20
–25°C
16
VDS = 20 V
Pulse Test
TC = 25°C
12
75°C
8
4
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]