datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1933 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1933 Silicon N Channel MOS FET Renesas
Renesas Electronics Renesas
K1933 Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
2SK1933
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Pulse Test
8
6
4
VGS = 10 V
2
0, –5 V
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
TC = 25°C
0.3
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03
0.01
1
Shot
Pulse
0.01
10 µ
100 µ
1m
10 m
Pulse Width PW (S)
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 0.83°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
100 m
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T
Vin
10 V
50
Vout Monitor
RL
VD=..D30 V
Waveforms
90%
Vin 10%
Vout 10%
10%
90%
90%
td (on)
tr
td (off)
tf
Rev.3.00 Apr 27, 2006 page 5 of 6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]