datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1933 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1933 Silicon N-Channel MOS FET / 2SK1933 Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1933 Datasheet PDF : 10 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2SK1933
5000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
2000
1000
500
200
di/dt = 100 A/ µs, VGS = 0
100 Ta = 25°C
50
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
Reverse Drain Current I DR (A)
10000
1000
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Ciss
Coss
100
Crss
VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 10 20 30 40 50
Drain to Source Voltage VDS (V)
1000
Dynamic Input Characteristics
20
VGS
VDD = 250 V
800
400 V
16
600 V
600 VDS
12
ID = 8 A
400
8
200
VDD = 250 V
4
400 V
600 V
0
0
40 80 120 160 200
Gate Charge Qg (nc)
Switching Characteristics
500
t d(off)
200
tf
100
tr
50
td(on)
20
10 VGS = 10 V, VDD =: 30 V
PW = 5 µs, duty <= 1%
5
0.2 0.5 1 2
5 10 20
Drain Current I D (A)
6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]