datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1933 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1933 Silicon N-Channel MOS FET / 2SK1933 Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1933 Datasheet PDF : 10 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
1.0
Pulse Test
0.8
0.6
5A
0.4
0.2
2A
ID = 1 A
0
4
8 12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
2.5
Pulse Test
2
VGS = 10 V
ID = 5 A
2A
1A
1.5
1
0.5
0
–40 0 40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
2SK1933
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
10
Pulse Test
5
2
VGS = 10 V
1
0.5
0.2
0.1
0.5 1 2
5 10 20 50
Drain Current I D (A)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
Pulse Test
20
VDS= 20 V
10
5
Tc = 25°C
–25°C
2
75°C
1
0.5
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
Drain Current I D (A)
5
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]