datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1170 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1170 Silicon N-Channel MOS FET / 2SK1169, 2SK1170 Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1170 Datasheet PDF : 9 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9
2SK1169, 2SK1170
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
Pulse Test
16
12
8
5 V, 10 V
4
VGS = 0, –10 V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0 D = 1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03 10S.0h1ot Pulse
0.01
10 µ
100 µ
TC = 25°C
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 1.04°C/W,TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
VDD =.. 30 V
Wavewforms
90 %
Vin 10 %
Vout 10 %
10 %
td (on)
90 %
90 %
tr
td (off)
tf
7
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]