datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1159 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1159 Silicon N-Channel MOS FET / TO-220AB Package Renesas
Renesas Electronics Renesas
K1159 Datasheet PDF : 12 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next Last
2SK1159, 2SK1160
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
2SK1159
2SK1160
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at TC = 25°C
Symbol
VDSS
VGSS
ID
I *1
D(pulse)
I DR
Pch*2
Tch
Tstg
Ratings
Unit
450
V
500
±30
V
8
A
32
A
8
A
60
W
150
°C
–55 to +150
°C
2
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]