datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1836 Просмотр технического описания (PDF) - Hitachi -> Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1836 Silicon N-Channel MOS FET / High speed power switching Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics Hitachi
K1836 Datasheet PDF : 12 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Next Last
2SK1836, 2SK1837
Body to Drain Diode Reverse
Recovry Time
1000
500
200
100
50
di / dt = 100 A / µs
VGS = 0, Ta = 25°C
20
10
0.5
1
2
5 10 20
50
Reverse Drain Current I DR (A)
10000
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Ciss
1000
Ciss
100
VGS = 0
f = 1 MHz
Crss
10
0
10
20
30
40
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Dynamic Input Characteristics
500
20
VDD = 100 V
400
250 V
16
400 V
300
VGS
12
VDS
200
8
100
V DD = 400 V
ID = 50 A
4
250 V
100 V
0
0
80
160
240
320
400
Gate Charge Qg (nc)
5000
2000
Switching Characteristics
VGS = 10 V,V DD =.. 30 V
PW = 2 µs, duty 1 %
1000
500
td (off)
tf
200
tr
100
td (on)
50
0.5
1
2
5 10 20
50
Drain Current ID (A)
6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]