datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1947 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1947 Silicon N-Channel MOS FET / High speed power switching Renesas
Renesas Electronics Renesas
K1947 Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
2SK1947
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
Pulse Test
40
30
20 VGS = 10 V
10
0, –5 V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1
0.5
0.3 0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.03 0.01
1 Shot Pulse
0.01
10 µ
100 µ
TC = 25°C
1m
10 m
Pulse Width PW (S)
θch–c (t) = γS (t) · θch–c
θch–c = 0.625°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
100 m
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T.
Vout Monitor
RL
VDD =.. 30 V
Waveforms
90%
Vin 10%
Vout 10%
td (on)
90%
tr
90%
td (off)
10%
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]