datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1775 Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1775 Silicon N-Channel MOS FET Renesas
Renesas Electronics Renesas
K1775 Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
2SK1775
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Pulse Test
8
6
4
2 5 V, 10 V
VGS = 0, –5 V
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1.0
D=1
0.5
TC = 25°C
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
1 Shot
Pulse
10 µ
100 µ
θch–c (t) = γS (t) • θch–c
θch–c = 2.08°C/W, TC = 25°C
PDM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
RL
V=..D3D0 V
Waveforms
90%
Vin 10%
Vout 10%
td (on)
90%
tr
90%
td (off)
10%
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2019 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]