datasheetbank_Logo     Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать

K1808-E Просмотр технического описания (PDF) - Renesas Electronics

Номер в каталогеКомпоненты Описаниепроизводитель
K1808-E Silicon N Channel MOS FET Renesas
Renesas Electronics Renesas
K1808-E Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
2SK1808
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Pulse Test
8
6
4
2 5 V, 10 V
VGS = 0, –5 V
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
1.0
0.5
Tc = 25°C
0.3 0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
0.01
10 µ
1 shot Pulse
100 µ
θch – c(t) = γs(t) • θch – c
θch – c = 3.57°C / W. Tc = 25°C
P DM
PW
T
D
=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T
Vin
10 V
50
Vout Monitor
RL
VDD
= 30 V
Waveforms
90%
Vin
Vout
10%
10%
10%
td (on)
90%
90%
tr
td (off)
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Direct download click here

 

Share Link : 

All Rights Reserved © datasheetbank.com 2014 - 2020 [ политика конфиденциальности ] [ Запрос Даташит ]