BA6664FP View Datasheet(PDF) - ROHM Semiconductor

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Description

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BA6664FP

CDROM

ROHM Semiconductor 

モータドライバ

BA6664FP/BA6664FM

!電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C，VCC=5V，VM=12V）

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Conditions

〈全体〉

回路電流1

ICC1

―

0

0.2

mA PS＝ L ，GSW＝OPEN

回路電流2

ICC2

―

6.2

9.1

mA PS＝ H ，GSW＝OPEN

〈パワーセーブ〉

ON電圧範囲

VPSON

―

―

1.0

V 内部回路OFF

OFF電圧範囲

VPSOFF

2.5

―

―

V 内部回路ON

〈ホールバイアス〉

ホールバイアス電圧

VHB

0.5

0.9

1.5

V

IHB＝10mA

〈ホールアンプ〉

入力バイアス電流

IHA

―

0.7

3.0

μA

同相入力電圧範囲

VHAR

1.0

―

4.0

V

最小入力レベル

VINH

50

―

―

mVP‑P

H3ヒスレベル

VHYS

5

20

40

mV

〈トルク指令〉

入力電圧範囲

EC，ECR

0

―

5.0

V リニア領域 0.5〜3.3V

オフセット電圧（−） ECOFF−

−75

−45

−15

mV ECR＝1.65V，GSW＝ L

オフセット電圧（＋） ECOFF＋

15

45

75

mV ECR＝1.65V，GSW＝ L

入力バイアス電流

ECIN

−3

―

3

μA EC＝ECR

入出力ゲイン L

GECL

0.52 0.65 0.78

A/V GSW＝ L ，RNF＝0.5Ω

入出力ゲイン M

GECM

1.04 1.30 1.56

A/V GSW＝OPEN，RNF＝0.5Ω

入出力ゲイン H

GECH

2.24 2.80 3.36

A/V GSW＝ H ，RNF＝0.5Ω

〈ゲイン切り換え〉

L 電圧範囲

VGSWL

―

―

1.0

V

H 電圧範囲

VGSWH

3.0

―

―

V

OPEN電圧

VGSWOP

―

2.0

―

V

〈FG〉

FG出力 H 電圧

VFGH

4.5

4.8

―

V

IFG＝−20μA

FG出力 L 電圧

VFGL

―

0.2

0.4

V

IFG＝3mA

〈FG2〉

FG2出力 H 電圧

VFG2H

4.6

4.9

―

V

IFG2＝−20μA

FG2出力 L 電圧

VFG2L

―

0.2

0.4

V

IFG2＝3mA

DUTY（参考値）

DU

―

50

―

％

〈回転検出〉

FR出力電圧 H

VFRH

4.1

4.4

―

V

IFR＝−20μA

FR出力電圧 L

VFRL

―

0.2

0.4

V

IFR＝3mA

〈出力〉

出力飽和電圧 H    VOH

―

1.0

1.4

V

IO＝−600mA

出力飽和電圧 L

VOL

―

0.4

0.7

V

IO＝600mA

プリドライブ電流

IVML

―

35

70

mA EC＝5V，出力オープン

出力リミット電流

ITL

560

700

840

mA RNF＝0.5Ω

Test circuit

Fig.14

Fig.14

Fig.15

Fig.15

Fig.14

Fig.16

Fig.16

Fig.16

Fig.19

Fig.18

Fig.18

Fig.18

Fig.18

Fig.18

Fig.18

Fig.18

Fig.19

Fig.19

Fig.15

Fig.20

Fig.20

Fig.20

Fig.20

Fig.20

Fig.20

Fig.17

Fig.17

Fig.19

Fig.15

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