1N1206A View Datasheet(PDF) - Diotec Semiconductor Germany
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Description
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1N1206A Datasheet PDF : 2 Pages
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Diotec
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Silicon-Power Rectifiers
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Metal case – Metallgehäuse
DO-4
Weight approx. – Gewicht ca.
5.5 g
Recommended mounting torque
Empfohlenes Anzugsdrehmoment
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
Dimensions / Maße in mm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings
Type
Typ
1N 1199 A
1N 1200 A
1N 1202 A
1N 1204 A
1N 1206 A
1N 3671
1N 3673
PBY 271
PBY 272
PBY 273
PBY 274
PBY 275
PBY 276
PBY 277
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
60
120
240
480
720
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
TC = 100°C
IFAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Peak fwd. half sine-wave surge current, TA = 25°C f = 60 Hz
IFSM
superimposed on rated load
TA = 25°C f = 50 Hz
IFSM
Stoßstrom für eine Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast
12 A 1)
40 A 1)
240 A2s
240 A
220 A
1) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100°C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100°C gehalten wird
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01.01.99
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